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139 Microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR

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MOQ
139 Microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR
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traits
Caractéristiques
Matériel: un capteur de silicium amorphe
Température: 10 à 35°C (opérationnel); 10 à 50°C (entreposage)
l'humidité: RH de 30 à 70% (non condensée)
Nom du produit: DR Détecteur numérique de panneau plat
Type de récepteur: Un-SI
Scintillateur: Résultats de l'enquête
Zones actives: 350 x 430 mm
La hauteur des pixels: 139 μm
Mettre en évidence:

139 microns A Si

,

Silicium amorphe A Si

,

DR A Si

Informations de base
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: HUATEC
Certification: CE ISO GOST
Numéro de modèle: H3543HWC-CE
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage en carton standard d'exportation
Description de produit

139 microns Silicium amorphe A-Si Pour divers domaines tels que la DR et les essais non destructifs

 

H3543HWC-EG est un détecteur sans fil léger à base de silicium amorphe ((a-Si), adapté à divers domaines tels que les essais DR et non destructifs.

 

Capteur
Recepteur de type a-Si

Scintilleur Gos / CsI:TI

Zone active 350 x 430 mm

Résolution 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

 

Appareil électrique et batterie

Adaptateur en courant alternatif 100-240V,50-60Hz

Adaptateur de sortie DC 24V,2.7A

Dissipation de puissance < 20 W

Temps de veille 6,5 h

Temps de recharge 4,5 h

 

Qualité de l'image
Résolution limitante 5 LP/mm

Plage d'énergie 40 à 160 KV

Dimension dynamique ≥ 76 dB

Sensibilité ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1ère image

DQE 38% @(1 LP/mm)

21% @ ((2 LP/mm)

MTF 75% @ ((1 LP/mm)

48% @ ((2 LP/mm)

28% @ ((3 LP/mm)

 

 

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