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Personne à contacter :	JingAn Chen
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Capteurs de silicium amorphe Détecteur à panneau plat Léger, adapté à la détection à haute énergie 15MV

139 Microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR

MOQ: 1

Matériel	un capteur de silicium amorphe
Température	10 à 35°C (opérationnel); 10 à 50°C (entreposage)
l'humidité	RH de 30 à 70% (non condensée)
Nom du produit	DR Détecteur numérique de panneau plat
Type de récepteur	Un-SI

Capteur à base de silicium amorphe pour l'imagerie dentaire et l'inspection industrielle

100 microns de silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR

Cible d'en cuivre de tension de tube de Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp avec l'anode

MOQ: 1pcs

Puissance d'entrée	、 0.3KW du、 50HZ monophasé AC220V
Marque	HUATEC
Tension des tubes	30KVP, commutateur s'est fermé sous la pleine tension
Courant de tube	0~5mA, réglable continu
Déploiement de Digital	θ : 、 minutieux de、 de degré en second lieu ; Lecture minimum 10 du ″

75 microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines A Si DR Épreuves non destructives

139 Microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines tels que les essais non destructifs DR

Semi-conducteur X Ray Crystal Orientation Indicator Instrument de Sapphire Piezoelectric Crystal Optical Crystal

Monophasé X Ray Instrument Crystal Orientation Indicator

Cible d'en cuivre de tension de tube de Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp avec l'anode

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