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75 microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines A Si DR Épreuves non destructives

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MOQ
75 microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines A Si DR Épreuves non destructives
traits Galerie Description de produit Demandez une citation
traits
Caractéristiques
Matériel: un capteur de silicium amorphe
Température: 10 à 35°C (opérationnel); 10 à 50°C (entreposage)
l'humidité: RH de 30 à 70% (non condensée)
Nom du produit: DR Détecteur numérique de panneau plat
Type de récepteur: Un-SI
Scintillateur: Ces informations sont fournies à l'adresse suivante:
Zones actives: 230.4 x 172 mm
La hauteur des pixels: 75μm
Résolution: 3072 x 2304
Mettre en évidence:

75 microns A-Si DR

,

Silicium amorphe A-Si DR

,

Différents champs A-Si DR

Informations de base
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: HUATEC
Certification: CE ISO GOST
Numéro de modèle: H2317HSC-CG, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage en carton standard d'exportation
Description de produit

75 microns de silicium amorphe A-Si pour divers domaines A-Si DR et tests non destructifs

 

H2317HSC-CG Il s'agit d'un détecteur plat léger basé sur des capteurs de silicium amorphe, adapté à la détection par rayons X

 

Capteur
Recepteur de type a-Si

Scintilleur CsI:TI

Zone active 230,4 x 172 mm

Résolution 3072x 2304

Pixel Pitch 75 μm

 

Appareil électrique et batterie

Adaptateur en courant alternatif 100-240V,50-60Hz

Adaptateur de sortie DC 24V,2.7A

Dissipation de puissance < 20 W

 

Qualité de l'image
Résolution limitante 5,9 LP/mm

Plage d'énergie 40 à 150 KV

Dimension dynamique ≥ 76 dB

Sensibilité ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1ère image

 

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Téléphone : 8610 82921131,86 13261934319
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